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IGBT模块

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    IRG4PC50WPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装方式:

    盘装

  • 安装方式:

    SMD/SMT

  • 型号/规格:

    NCE40TD120T

  • 品牌/商标:

    NCE新节能

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    TO-247-3L

  • 集电极发射极电压:

    1200V

  • 栅极发射极电压:

    ±30v

  • 型号/规格:

    L6574D013TR

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 环保类别:

    普通型

  • 封装:

    SOP-16

  • 型号/规格:

    AP85GT33SW

  • 品牌/商标:

    AP/富鼎

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    WSS-TLP521

  • 品牌/商标:

    WSS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTD

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装:

    管装

  • 型号/规格:

    GD150HFL120C8S

  • 品牌/商标:

    SEMIKRON(西门康)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 种类:

    IGBT功率模块

  • 包装方式:

    盒装

  • 备注:

    专营一系列IGBT模块

  • 型号/规格:

    FF300R12KT4

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 规格参数:

    300A 1200V

  • 型号/规格:

    2MBI300P-140-03

  • 品牌/商标:

    FUJITSU(富士通)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 1:

    功率模块

  • 2:

    全新原装

  • 3:

    电源模块

  • 型号/规格:

    IKW25N120T2

  • 品牌/商标:

    IR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 标准包装:

    240

  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):

    1200V

  • 集电极电流(Ic)(最大):

    50A

  • 功率 - 最大:

    349W

  • 型号/规格:

    CM100DY-24A

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    680

  • 仓库:

    深圳

  • 型号/规格:

    MSK4300-HD

  • 品牌/商标:

    MSK

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 电机电源电压:

    75伏

  • 输出开关能力:

    10安培

  • 批次:

    最新批次

  • 备注:

    进口原装正品

  • 型号/规格:

    APTGT50SK170T1G

  • 品牌/商标:

    Microsemi

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    1.7 kV

  • 在25 C的连续集电极电流:

    75 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • Pd-功率耗散:

    312 W

  • 型号/规格:

    FF300R12KT4

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 产品种类::

    IGBT 模块

  • 制造商::

    Infineon

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO::

    1200 V

  • 集电极—射极饱和电压::

    2.1 V

  • 型号/规格:

    IRGB15B60KD

  • 品牌/商标:

    IR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 电流:

    15A

  • 电压:

    600V

  • 型号:

    GB15B60KD

  • 厂家:

    IR

  • 型号/规格:

    FP50R12KT3

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 年份:

    新年份

  • 价格:

    面议

  • 型号/规格:

    DD200KB160

  • 品牌/商标:

    SanRex(三社)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    SKM400GM17E4

  • 品牌/商标:

    SEMIKRON(西门康)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 数量:

    240

  • 备注:

    原装正品

  • 仓库:

    深圳

  • 批次:

    18+

  • 型号/规格:

    FS820R08A6P2B

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 标准包装:

    原装原包

  • IGBT:

    模块系列

  • 型号/规格:

    IKCS12G60DA

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 1:

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IGBT模块行业资讯

什么是IGBT模块?

  •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
  • IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块封装流程原理图

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍

    如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项

    由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:   在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先...

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